| 纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q |
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| 引用本文： | 王燕飞,王加贤,张培,杨先才. 纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q[J]. 华侨大学学报(自然科学版), 2011, 0(4): 385-388 |
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| 作者姓名： | 王燕飞 王加贤 张培 杨先才 |
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| 作者单位： | 华侨大学信息科学与工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学重点基金资助项目(60838003); 福建省自然科学基金资助项目(2009J01291) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅( Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm...
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| 关 键 词： | 激光技术 Nd∶ YVO4激光器 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜 被动调Q 可饱和吸收体 |
Passive Q-Switching for 1342nm Laser with Nc-Ge/SiO_2 Films |
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| WANG Yan-fei,WANG Jia-xian,ZHANG Pei,YANG Xian-cai. Passive Q-Switching for 1342nm Laser with Nc-Ge/SiO_2 Films[J]. Journal of Huaqiao University(Natural Science), 2011, 0(4): 385-388 |
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| Authors: | WANG Yan-fei WANG Jia-xian ZHANG Pei YANG Xian-cai |
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| Affiliation: | WANG Yan-fei,WANG Jia-xian,ZHANG Pei,YANG Xian-cai(College of Information Science and Engineering,Huaqiao University,Quanzhou 362021,China) |
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| Abstract: | |
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