多肖特基控制极PNPN逻辑单元的理想Ebers-Moll模型的探讨

在分析比较了肖特基“与”输入 I~2L(衬底注入)与其它 I~2L 单元基本特征后,提议用“多肖特基控制极 PNPN 多极管”概念模拟器件。并在考查了 SBD附加结效应的基础上,将1]的工作进一步推广,得到了一组适于上述超集成结构的单元理想 Ebers—Moll 方程与动态等效电路,定义了有关参量,并讨论了其相互关系。最后,为便于测量,还给出了两种特定条件下的 Ic、Ism 解析式和近似估计。