| 类氖W64+离子基态双电子复合过程的细致能级计算 |
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| 引用本文： | 吴华,杨建会,张建平,朱林.类氖W64+离子基态双电子复合过程的细致能级计算[J].四川大学学报(自然科学版),2012,49(4):843-848. |
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| 作者姓名： | 吴华 杨建会 张建平 朱林 |
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| 作者单位： | 中国民航飞行学院;乐山师范学院物理与电子工程学院; 四川大学原子与分子物理研究所;乐山师范学院物理与电子工程学院;乐山师范学院物理与电子工程学院 |
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| 基金项目： | 中国民航飞行学院基础研究项目(J201020);四川省教育厅资助项目(10ZC109) |
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| 摘 要： | 本文使用相对论组态相互作用方法计算了0.1E1≤kTe≤10E1（E1是类钠钨离子的第一电离能E1=7129.5 eV）温度范围内类氖W64+离子基态双电子复合（DR）速率系数.类氖W64+离子基态DR过程需要考虑（2s2p）73ln′l′,（2s2p）74l4l′以及（2s2p）74l5l′双激发自电离组态.对于（2s2p）73ln′l′双激发自电离组态,轨道角量子数l′>8的（2s2p）73ln′l′组态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计;（2s2p）73ln′l′组态双电子激发自电离态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足n′-3组态-组态外推法.对细致计算得到的类氖W64离子基态DR总速率系数进行了拟合,得到W64+离子基态在0.1E1≤kTe≤10E1温度范围内的总DR速率系数随电子温度变化的经验公式.
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| 关 键 词： | 相对论组态相互作用 双电子复合 速率系数 自电离 |
Detailed level-by-level study of dielectronic recombination for neon-like tungsten |
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| WU Hu,YANG Jian-Hui,ZHANG Jian-Ping and ZHU Lin.Detailed level-by-level study of dielectronic recombination for neon-like tungsten[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2012,49(4):843-848. |
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| Authors: | WU Hu YANG Jian-Hui ZHANG Jian-Ping and ZHU Lin |
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| Institution: | Civil Aviation Flight University of China;College of Physics and Electronic Engineering, Leshan Normal University;Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University;College of Physics and Electronic Engineering, Leshan Normal University;College of Physics and Electronic Engineering, Leshan Normal University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | relativistic configuration interaction (RCI) method dielectronic recombination (DR) rate coefficient autoionization |
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