| 砷化镓HBT的VBIC模型研究 |
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| 引用本文： | 黄风义,孔晓明,蒋俊洁,姜楠.砷化镓HBT的VBIC模型研究[J].东南大学学报(自然科学版),2005,35(2):188-191. |
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| 作者姓名： | 黄风义 孔晓明 蒋俊洁 姜楠 |
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| 作者单位： | 东南大学射频和光电集成电路研究所,南京,210096;爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司,上海,201203 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用国际先进的2μm InGaP/GaAs HBT工艺加工生产线进行了晶体管芯片的加工,并在器件测试的基础上开展了模型参数的提取.所研究的模型主要是针对异质结双极晶体管器件HBT特别是砷化镓异质结双极晶体管器件,在对常用的几种器件模型,如EM模型、GP模型和VBIC模型的特点做比较的基础上,详细介绍了一种基于IC-CAP系统的准确提取VBIC模型的方法.利用提取的VBIC模型对所制备器件进行了模拟仿真,仿真结果与测试结果相比较二者可以很好吻合至20GHz.
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管器件 VBIC模型 参数提取 |
| 文章编号： | 1001-0505(2005)02-0188-04 |
Investigation of GaAs HBT VBIC model |
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| Huang Fengyi,Kong Xiaoming,Jiang Junjie,Jiang Nan.Investigation of GaAs HBT VBIC model[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),2005,35(2):188-191. |
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| Authors: | Huang Fengyi Kong Xiaoming Jiang Junjie Jiang Nan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HBT VBIC model parameter extraction |
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