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| 在制作集成电路时用冠醚清除二氧化硅中的碱金属杂质 | |
| 引用本文： | 胡绪洲,董俊,张培基,王练力.在制作集成电路时用冠醚清除二氧化硅中的碱金属杂质[J].云南大学学报(自然科学版),1985(4). |
| 作者姓名： | 胡绪洲 董俊 张培基 王练力 |
| 作者单位： | 云南大学物理系 (胡绪洲，董俊)，四四三三厂 (张培基)，四四三三厂(王练力) |
| 摘 要： | 在制作集成电路时,为了增大P—N结的反向击穿电压和减小晶体管的交叉漏电流,我们利用冠醚清除二氧化硅中的碱金属杂质。一些试验结果对于生产者是有用的。 |
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