| 应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面 |
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| 引用本文： | 丁小勇,颜永美.应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面[J].厦门大学学报(自然科学版),2001,40(4):873-877. |
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| 作者姓名： | 丁小勇 颜永美 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系, |
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| 摘 要： | 提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP=0.5756V,表面复合速度sn=4.8×103cm*s-1以及表面态密度Ds=6.7×1011cm-2*eV-1可由光伏方法测算，则表面态俘获截面σon≈5×10-13cm2与σ-p≈2×10-12cm2可通过应用Shockley-Read体复合理论于表面而被估算.此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致.
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| 关 键 词： | 光伏方法 硅单晶 表面态俘获截面 半导体 估算 |
| 文章编号： | 0438-0479(2001)04-0873-05 |
| 修稿时间： | 2000年10月26 |
Estimation for the Capture Cross Sections of Surface-State
of Silicon Single Crystal by Photovoltaic Method |
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| DING Xiao yong,YAN Yong mei.Estimation for the Capture Cross Sections of Surface-State
of Silicon Single Crystal by Photovoltaic Method[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2001,40(4):873-877. |
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| Authors: | DING Xiao yong YAN Yong mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photovoltaic method silicon single crystal capture cross sections of surface state |
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