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| 空间电子辐照下半导体器件的抗辐射屏蔽优化 | |
| 引用本文： | 徐加强,王传珊.空间电子辐照下半导体器件的抗辐射屏蔽优化[J].上海大学学报(自然科学版),2003,9(3):259-262. |
| 作者姓名： | 徐加强 王传珊 |
| 作者单位： | 1. 上海大学,理学院,上海,200436 2. 上海大学,射线应用研究所,上海,201800 |
| 摘 要： | 该文探讨了在地球同步轨道辐照环境下对半导体器件的抗辐射屏蔽问题．针对我国空间飞行器中对半导体器件较常用的局部屏蔽加固的方法，在M—C计算机模拟的基础上对屏蔽层材料及其厚度进行了优化设计． |
| 关 键 词： | 抗辐射屏蔽 能量沉积 半导体器件 Monte—Carlo |
| 文章编号： | 1007-2861(2003)03-0259-04 |
| 修稿时间： | 2002年12月12 |
Optimization of Anti-Radiation Shield on Semiconductor Device under Electron Radiation in Space |
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| Abstract: | |
| Keywords: | anti-radiation shield energy deposition semiconductor device Monte-Carlo simulation |
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