| 激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的测定 |
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| 引用本文： | 黄信凡,鲍希茂,沈富德,陶芳,陈坚.激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的测定[J].南京大学学报(自然科学版),1987(2). |
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| 作者姓名： | 黄信凡 鲍希茂 沈富德 陶芳 陈坚 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系 |
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| 摘 要： | 我们用常规的高频和准静态C-V技术测量了氩离子激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面的氧化物固定电荷密度N_f和界面态陷阱密度N_(it)。结果表明,和未再结晶的热退火样品相比,激光再结晶后,背界面的界面态密度大幅度下降。该界面态性质还与二氧化硅的生长方法和条件有关。在硅单晶抛光片上用氯化氢氧化法或三氯乙烯氧化法热生长约1400A的SiO_2层,然后用低压化学气相淀积法淀积约5000A多晶硅薄膜。使用氩离子激光器连续扫描辐照样品,功率选用4.5W、扫描速度2cm/s、束斑直径40μm,交叠50％,衬底温度300℃—400℃。经激光再结晶后多晶硅薄膜的晶粒由原来的100A长大到数微米。
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| 关 键 词： | 多晶硅 激光再结晶 界面性质 |
MEASUREMENT OF INTERFACE CHARACTERISTICS BETWEEN LASER RECRYSTALLIZED PO1Y CRY STA LLINE SILICON AND THE UNDERLYING OXIDE LAYER |
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| Huang Xinfan Bao Ximao Shen Fude Tao Fang Chen Jian.MEASUREMENT OF INTERFACE CHARACTERISTICS BETWEEN LASER RECRYSTALLIZED PO1Y CRY STA LLINE SILICON AND THE UNDERLYING OXIDE LAYER[J].Journal of Nanjing University: Nat Sci Ed,1987(2). |
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| Authors: | Huang Xinfan Bao Ximao Shen Fude Tao Fang Chen Jian |
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| Institution: | Department of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Polycrystallino(?) Silicon Laser-recrystalliyation Interface Sharacterisics SOI |
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