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| 多孔硅的热氧化与光致发光 | |
| 作者姓名： | 李经建 |
| 作者单位： | 北京大学化学与分子工程学院光电智能材料研究室 北京100871(李经建，朱涛，刘忠范，蔡生民)，北京大学物理系 北京100871(王昕)，北京大学物理系 北京100871(张树霖) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 多孔硅的室温可见光发射现象报道迄今已3年有余,Canham和Lehamm分别提出了光发射的量子限制模型,来解释多孔硅的光致发光现象.我们前期工作中发现的多孔硅的荧光峰值能量随HF酸浓度变化的“台阶”行为,有力地支持了量子限制模型.但对于荧光强度的变化和一些与表面后处理有关的实验事实,仅用量子限制模型则不能给出令人满意的回答.关于多孔硅光致发光的机制仍是一个争论的问题. |
| 关 键 词： | 多孔硅 热氧化 光致发光 |
| 收稿时间： | 1994-08-11 |
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