离子注入的^75As在SiO2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的＾７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的＾４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析。测出了＾７５Ａｓ在样品中的射程发布。将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒ＾ｅｘｐｐ普遍大于ΔＲ＾ｖａｌｐ，上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散。