|
|||||
|
|
| MOCVD生长高铝值AlxGaAs（x≥0.7）中的碳掺杂 | |
| 作者姓名： | 王成新 黄柏标 |
| 摘 要： | 报道了ＭＯＣＶＤ生长的高铝值ＡｌｘＧａＡｓ（ｘ≥０．７）中的非故障掺杂。实验研究了Ⅴ／Ⅲ比，生长压力，生长速率，在６５０℃到７６０℃之间，生长温度对碳掺杂没有太大影响。 |
| 关 键 词： | MOCVD 碳 掺杂 镓铝砷化合物 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||
|
||||||||||||||
|
||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |