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Ne-HCN体系势能面的ab initio计算
引用本文:时春峰,陈健,黄武英. Ne-HCN体系势能面的ab initio计算[J]. 安徽师范大学学报(自然科学版), 2015, 38(1): 40-43. DOI: 10.14182/J.cnki.1001-2443.2015.01.009
作者姓名:时春峰  陈健  黄武英
作者单位:安徽师范大学物理与电子信息学院,安徽芜湖,241000;安徽师范大学物理与电子信息学院,安徽芜湖,241000;安徽师范大学物理与电子信息学院,安徽芜湖,241000
摘    要:在单双迭代包括非迭代三重激发微扰处理的耦合簇CCSD(T)理论水平下,采用aug-ccPVQZ并加上键函数(3s3p2d2f1g)组成的大基组,计算得到了体系在冻结HCN键长情况下的全程势能面.计算结果表明该势能面存在2个势阱:较深的势阱对应于线性Ne-HCN构型,阱深为61.56cm-1,其中Rm=8.00a0;较浅的势阱对应于T型构型,其中Rm=6.62a0,θ=102°,阱深为52.48cm-1,整个势能面呈现出弱的各向异性.

关 键 词:Ne-HCN  势能面  CCSD(T)

An ab Initio Potential Energy Surface of Ne-HCN
SHI Chun-Feng,CHEN Jian,HUANG Wu-ying. An ab Initio Potential Energy Surface of Ne-HCN[J]. Journal of Anhui Normal University(Natural Science Edition), 2015, 38(1): 40-43. DOI: 10.14182/J.cnki.1001-2443.2015.01.009
Authors:SHI Chun-Feng  CHEN Jian  HUANG Wu-ying
Affiliation:SHI Chun-Feng;CHEN Jian;HUANG Wu-ying;College of Physics and Electronic Information,Anhui Normal University;
Abstract:
Keywords:Ne-HCN complex  potential energy surface  CCSD(T)
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