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| GGA+U方法研究氧空位(VO)和不同浓度Y对ZnO光电性质的影响 | |
| 作者姓名： | 庞国旺 史蕾倩 潘多桥 刘晨曦 雷博程 张丽丽 |
| 摘 要： | 采用GGA+U方法研究了Zn1-xYxO0.875(x=0.125、0.25、0.375)体系的电子结构和光学性质.结果表明,共掺体系中Y的掺杂浓度越高体系越容易形成;掺杂后各体系禁带中均出现杂质能级,在导带底和价带顶之间形成能量差,充当了"桥梁作用",降低了电子发生跃迁时所需要的能量,其中Zn0.625Y0.375O... |
| 关 键 词： | ZnO Y掺杂 电子结构 光学性质 |