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杂志ISSN号
GGA+U方法研究氧空位(VO)和不同浓度Y对ZnO光电性质的影响
作者姓名:
庞国旺
史蕾倩
潘多桥
刘晨曦
雷博程
张丽丽
摘 要:
采用GGA+U方法研究了Zn1-xYxO0.875(x=0.125、0.25、0.375)体系的电子结构和光学性质.结果表明,共掺体系中Y的掺杂浓度越高体系越容易形成;掺杂后各体系禁带中均出现杂质能级,在导带底和价带顶之间形成能量差,充当了"桥梁作用",降低了电子发生跃迁时所需要的能量,其中Zn0.625Y0.375O...
关 键 词:
ZnO
Y掺杂
电子结构
光学性质
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