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| 沉积温度对MOCVD制备ZnO纳米薄膜性质的影响 | |
| 作者姓名： | 于富成 李海山 胡海龙 宋天云 许博宇 何玲 |
| 作者单位： | 兰州理工大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在石英衬底上制备了ZnO纳米薄膜,考察了不同沉积温度对ZnO薄膜结构及光学性质的影响.结果表明:所有样品均表现出C轴择优的六角纤锌矿结构.随着沉积温度由700℃升高至800℃时,ZnO薄膜的半峰宽逐渐变窄,晶粒尺寸逐渐增大,光致发光强度逐渐增强,表明沉积温度的升高有利于晶体的生长.当沉积温度由800℃继续升高后,样品的半峰宽变宽,晶粒尺寸减小,光致发光强度降低,表明沉积温度过高产生热缺陷,不利于晶体的生长. |
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