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| FAD非晶金刚石薄膜的场电子限射性能研究 | |
| 引用本文： | 赵建平,王曦.FAD非晶金刚石薄膜的场电子限射性能研究[J].中国科学(E辑),1997,27(3):218-223. |
| 作者姓名： | 赵建平 王曦 |
| 摘 要： | 利用真空磁过滤弧沉积技术制备得到了无氢的非晶碳膜。由于非晶碳膜中数量极高的四面体键的存在，这种非晶碳膜也可被称作非晶金刚石薄膜。报道了这种非晶金刚石膜的场电子发射特性，并对其能带结构和发射机理进行了研究。实验结果表明，在阈值电场为１５Ｖ／μｍ的情况下，测得的场发射电流超过了２０μＡ，薄膜的电子发射行为符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ场发射理论，非晶金刚石膜是有负电子亲合势和较小的有效功函数，如此 |
| 关 键 词： | 真空磁过滤弧 非晶 金刚石薄膜 场电子发射 |
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