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| 高能P^＋注入硅和N—Zn双注入GaAsP热退火过程中的分形生长 | |
| 引用本文： | 吴瑜光,张通和.高能P^＋注入硅和N—Zn双注入GaAsP热退火过程中的分形生长[J].中国科学(E辑),1997,27(4):304-309. |
| 作者姓名： | 吴瑜光 张通和 |
| 作者单位： | 国家教育委员会射线束材料工程开放研究实验室，国家教育委员会射线束材料工程开放研究实验室 北京师范大学低能核物理研究所，北京100875，北京师范大学低能核物理研究所，北京100875 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 研究了高能Ｐ＾＋Ｐ注入硅和Ｚｎ＋Ｎ双注入ＧａＡｓＰ热退火过程中分形生长过程与退火温度和注入杂质电激活率的关系。分析了２种注入条件下分形生长各自的特点，讨论了分形生长和生长的机理。 |
| 关 键 词： | 分形生长 离子注入 硅 锗砷磷 砷 |
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