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| Sn5＋离子双电子复合速率系数 | |
| 作者姓名： | 柳小林 |
| 作者单位： | [1]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070 [2]宁夏师范学院物理与信息技术学院,宁夏固原756000 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：10847007）资助的课题 |
| 摘 要： | 利用基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code （FAC）程序包,详细研究了Sn5离子的双电子复合（DR）过程.通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4d,4p壳层电子激发是主要的DR通道.计算得到了俘获电子至不同壳层n的总DR速率系数,并外推到了n=100. |
| 关 键 词： | 双电子复合 速率系数 |
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