| 弯曲载荷下铁电薄膜畴结构演化行为的模拟研究 |
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| 引用本文： | 姜格蕾,陈伟津,郑跃.弯曲载荷下铁电薄膜畴结构演化行为的模拟研究[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2016(4):120-128. |
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| 作者姓名： | 姜格蕾 陈伟津 郑跃 |
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| 作者单位： | 中山大学光电材料国家重点实验室;中山大学物理科学与工程技术学院微&纳物理力学实验室;中山大学中法核工程与技术学院 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(编号:2015CB351900);国家自然科学基金(批准号:51172291,11232015,11372361)资助项目 |
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| 摘 要： | 本文建立了三维薄膜的相场模拟方法,考虑弯曲载荷、挠曲电场、温度和尺寸等因素对PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3薄膜畴结构稳定和演化的影响,探究畴结构信息力学擦除的可能性.证实了力学载荷及挠曲电效应对厚度在10 nm级别的铁电纳米薄膜畴结构可以进行有效地调控.其中温度的升高与表面挠曲电场对于畴结构演化过程有明显调控作用,有利于c--畴结构的形成.在进一步对波浪形弯曲及柱面弯曲的对比中,讨论了两种载荷方式下不同的挠曲电场取向对于力学擦除行为的影响.本文的研究对于柔性铁电电子器件往纳尺度方向的发展具有指导意义.
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| 关 键 词： | 铁电畴结构 力学载荷 挠曲电效应 力学擦除 相场模拟 |
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