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| Ga_(12-n)As_n(n=0～12)系列团簇基态结构及稳定性的研究 | |
| 摘 要： | 在基于第一性原理的ADF程序平台上,对Ga12-nAsn(n=0~12)系列团簇的基态结构、能量、能隙、电离能和亲和势等物理性质进行了随机筛选和精确计算.对结果的分析表明,随着n的增加,团簇的总能量几乎呈线性下降,电离能从5.9eV上升到7.3eV,亲和能在2.0~2.7eV之间波动,电离能比亲和能大,HOMO-LUMO能隙从0.6eV上升到2.2eV,并在n=4~9之间,呈现明显的奇偶性振荡,与能量的二阶差分所显示的相一致,表明在n=3、5、11处团簇将具有较高的稳定性. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |