| 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 |
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| 引用本文： | 茅东升,赵俊,李炜,王曦,柳襄怀,诸玉坤,范忠,周江云,李琼,徐静芳.界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响[J].中国科学(E辑),1999,29(6):506-511. |
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| 作者姓名： | 茅东升 赵俊 李炜 王曦 柳襄怀 诸玉坤 范忠 周江云 李琼 徐静芳 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海,200050
2. 华东师范大学电子科学与技术系,上海,200062 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”高科技计划资助项目 |
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| 摘 要： | 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 .
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| 关 键 词： | 非晶金刚石薄膜 电子场发射性能 界面过渡层 |
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