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| 表面化学分子吸附增强多孔硅发光效率 | |
| 作者姓名： | 尹峰() 李学萍() 肖绪瑞() 张宝文() 曹怡() 李国华() 韩和相() 汪兆平() |
| 作者单位： | 中国科学院感光化学研究所!北京100101(尹峰，李学萍，肖绪瑞，张宝文，曹怡)，中国科学院半导体研究所!半导体超晶格国家重点实验室(李国华)，北京100083(韩和相)，中国科学院半导(汪兆平) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!(批准号 :2 94 830 0 5)资助项目，中国科学院光化学开放实验室资助项目 |
| 摘 要： | 多孔硅室温下的可见光发射,在光电子器件、光记录材料和化学传感器等方面有重要的应用前景,引起了人们广泛的关注.近几年Ｓａｉｌｏｒ等人研究多孔硅的表面化学分子吸附对发光性能的影响,发现有机胺、极性、非级性溶剂、有机、无机酸碱和金属离子等淬灭多孔硅的荧光[1].而表面化学吸附导致多孔硅荧光增强至今很少报道.本工作报道了ＨＮＯ3氧化的多孔硅表面吸附9氰基蒽(9ＣＡ)分子后的发光增强现象.用Ｐ(100)单晶硅(15Ωｃｍ)为衬底,在ＨＦ∶Ｃ2Ｈ5ＯＨ=1∶1溶液中以30ｍＡ/ｃｍ2的恒电流阳极刻蚀10ｍｉｎ制备多孔硅,继而在20%ＨＮＯ3溶液中… |
| 关 键 词： | 表面化学吸附 多孔硅 发光效率 |
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