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| CeO2/Si薄膜PL谱的“紫移” | |
| 作者姓名： | 柴春林 杨少延 刘志凯 廖梅勇 陈诺夫 王占国 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 |
| 基金项目： | 本工作为国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G2000036505). |
| 摘 要： | 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜，椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100nm，折射系数约为2．455，实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光（PL）谱存在着“紫移”现象，其移动距离约为65m，利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析表明，PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关，当Ce离子价态发生Ce^4 →Ce^3 变化时，其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动，出现发光锋“紫移”现象。 |
| 关 键 词： | CeO2／Si薄膜 PL谱 “紫移” 二氧化铈／硅薄膜 光致发光谱 薄膜结构 离子价态 |
| 收稿时间： | 2001-04-09 |
| 修稿时间： | 2001-04-09 |
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