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| 医用加速器270°偏转系统中边缘场对电子轨迹的影响 | |
| 引用本文： | 吴频,李泉凤.医用加速器270°偏转系统中边缘场对电子轨迹的影响[J].清华大学学报(自然科学版),2000,40(10):24-27. |
| 作者姓名： | 吴频 李泉凤 |
| 作者单位： | 清华大学,工程物理系,北京,100084 |
| 基金项目： | 国家“九五”科技攻关项目!(96 - 90 5 - 0 1- 0 3) |
| 摘 要： | 针对在高能医用驻波直线加速器 2 70°偏转磁铁系统的理论设计过程中 ,使用等效边界方法忽略了边缘场影响的问题 ,按照 EFF(Extended Fringing Field)理论计算所得结果重新校正原来设计的电子轨迹 ,并采用粒子跟踪的模拟方法 ,模拟电子在 2 70°偏转系统中的偏转过程 ,将模拟结果与 EFF理论计算结果进行比较 ,分析指出在 2 70°偏转磁铁系统中加磁屏蔽的意义 ,从而从理论上指导 2 70°偏转磁铁系统的安装 ,即将靶从原安装位置处向左调整 5 mm。 |
| 关 键 词： | 边缘场 270°偏转磁铁 EFF计算 粒子跟踪 屏蔽 |
| 修稿时间： | 1999-12-07 |
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