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| 酞菁铜薄膜的高斯分布陷阱 | |
| 引用本文： | 周淑琴,毛兵,金祥凤.酞菁铜薄膜的高斯分布陷阱[J].自然杂志,1988(11). |
| 作者姓名： | 周淑琴 毛兵 金祥凤 |
| 作者单位： | 中国科学院化学研究所，中国科学院化学研究所，中国科学院化学研究所 |
| 摘 要： | 有机固体中杂质、结构缺陷和晶界的存在,在载流子输运中起陷阱作用。因此有机固体的导电性能通常受载流子的被陷和脱陷的连续过程控制。近年来人们对有机固体陷阱的探讨很感兴趣,特别是对多晶和非品态材料中分布陷阱的研究,但对高斯型分布陷阱的实验处理一直没有得到解决。本文介绍等温衰减电流(IDC)实验用于酞菁铜(Cupc)薄膜的高斯型分布陷阱。在高场下可以忽略载流子的复合。我们推导的高斯型分布陷阱的陷阱能态分布与IDC谱关系为: |
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