| 用于VLSI的MOSiC器件电特性模拟 |
| |
| 引用本文： | 陈卫兵,钟德刚,徐静平,石迎生,余国义.用于VLSI的MOSiC器件电特性模拟[J].湘潭师范学院学报(自然科学版),2002,24(1):26-29. |
| |
| 作者姓名： | 陈卫兵 钟德刚 徐静平 石迎生 余国义 |
| |
| 作者单位： | 1. 湘潭师范学院,物理系,湖南,湘潭,411201;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
2. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 湖北省自然科学基金 (2 0 0 0J15 8) |
| |
| 摘 要： | 在分析了金属一氧化物-SiC（MOSiC）器件物理模型的基础上，分析界面等物理效应时对器件的影响，建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的MATLAB软件，模拟了MOSiC器件的电特性。
|
| 关 键 词： | VLSI MATLAB 金属－氧化物－碳化硅器件 MOSiC器件 电特性 界面特性 半导体器件 计算机模拟 |
| 文章编号： | 1671-0231(2002)01-0026-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月14 |
MOSiC Electric Character Simulation for VLSI |
| |
| CHENG Wei-bing ,ZHONG De-gang ,XU Jing-ping ,SHI Ying-sheng ,YU Guo-yi.MOSiC Electric Character Simulation for VLSI[J].Journal of Xiangtan Normal University (Natural Science Edition),2002,24(1):26-29. |
| |
| Authors: | CHENG Wei-bing ZHONG De-gang XU Jing-ping SHI Ying-sheng YU Guo-yi |
| |
| Institution: | CHENG Wei-bing 1,2,ZHONG De-gang 2,XU Jing-ping 2,SHI Ying-sheng 2,YU Guo-yi 2 |
| |
| Abstract: | With the character dimension decreasing, some new physical effects appear, for example:surface, interface. Physical Models need rebuilding for VLSI. In this paper, we discuss how these physical effects work on the device after analyzing an old device model of Metal-Oxidation-SiC (MOSiC) and a new MOSiC device model is built for VLSI. The electric character of MOSiC device is simulated by using MATLAB software. |
| |
| Keywords: | SiC VLSI simulation MATLAB |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
