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Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响
引用本文:汪汝武,陈静,李云宝,张立刚.Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响[J].武汉科技大学学报(自然科学版),2007,30(6):602-605.
作者姓名:汪汝武  陈静  李云宝  张立刚
作者单位:武汉科技大学理学院,湖北,武汉,430081
摘    要:利用X射线衍射和磁化强度测量,研究了Dy1-xSMxMn6Ge6(x=0.2~1.0)化合物的磁性和输运性质.结果表明x≤0.4的样品主要由HfFe6Ge6型相构成;0.6≤x≤1.0的样品主要由YCo6Ge6型相构成.样品的点阵常数和单胞体积随着Sm含量的增加而增大,随着Sm含量的增加,样品发生反铁磁-亚铁磁-铁磁性转变.x=0.2,0.4的样品为反铁磁性,其奈尔温度分别为425,430K,并在50K下发生二次磁相转变.x=0.6,0.8,1.0的样品在磁场高达5T下的磁电阻曲线上的拐点可能是由于磁场对费米面的影响,也可能是由于磁矩和洛仑兹力对传导电子散射作用之间竞争的结果.

关 键 词:磁性  磁电阻效应
文章编号:1672-3090(2007)06-0602-04
修稿时间:2007年3月16日

Effect of Sm substitution on magnetism and magnetoresistance of DyMn6Ge6 compounds
Wang Ruwu,Chen Jing,Li Yunbao,Zhang Ligang.Effect of Sm substitution on magnetism and magnetoresistance of DyMn6Ge6 compounds[J].Journal of Wuhan University of Science and Technology(Natural Science Edition),2007,30(6):602-605.
Authors:Wang Ruwu  Chen Jing  Li Yunbao  Zhang Ligang
Abstract:
Keywords:Dy1-xSmxMn6Ge6
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