| 高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究 |
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| 引用本文： | 承刚,卢铁城,赵纯培,田云飞,徐雪春,林理彬.高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2002,39(6):1070-1073. |
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| 作者姓名： | 承刚 卢铁城 赵纯培 田云飞 徐雪春 林理彬 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学物理系·辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064
2. 四川大学分析测试中心,成都,610064 |
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| 摘 要： | 金红石单晶体经中子辐照后，不仅由无色透明变为深兰色，而且导电特性发生很大变化，且由高绝缘材料变为n型半导体，作者分别在低温、室温及高温下，研究了样品电阻随温度的变化关系，并在空气和真空气氛下，对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响。结果表明，金红石晶体经中子辐照后，在低温下具有典型的半导体导电特性；在高温下于空气中退火，样品会被逐渐氧化，最后变为无色的绝缘体；在10^-4Pa高真空气氛中退火，样品表现出点缺陷导电行为，且缺陷离子具有两个不同的激发能级（0.06eV和0.12eV)，分别对应子H^ 和Ti^3 ，且在整个过程中没有发现样品被氧化。
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| 关 键 词： | 中子辐照 金红石单晶 电学特性 绝缘材料 n型半导体 点缺陷导电 电导率 |
| 文章编号： | 0490-6756(2002)06-1070-04 |
Electrical Properties of Rutile Single Crystal Irradiated by High Jection Quantity Neturon |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | irradited by nentron rutile single crystal electrical property |
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