| AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟 |
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| 引用本文： | 刘芳,王涛,姚建铨.AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟[J].科学技术与工程,2006,6(23):4682-46844694. |
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| 作者姓名： | 刘芳 王涛 姚建铨 |
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| 作者单位： | 国家重点实验室,天津大学激光与光电子研究所,天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 由于InGaN的物理性质，在传统AlGaN／GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层，会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍。正是从导带差、极化效应两个方面分析了这种现象的原因，并且通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程分别作出了AlGaN／InGaN／GaN双异质结和AlGaN／GaN单异质结的能级图以及2DEG的电子能量图，进一步解释了该现象。
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| 关 键 词： | 二维电子气 导带差 极化 自洽求解 |
| 文章编号： | 1671-1819(2006)23-4682-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-14 |
| 修稿时间： | 2006年7月14日 |
Numerical Simulation on the 2DEG in the AlGaN/InGaN/GaN Double Heterostructures |
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| LIU Fang,WANG Tao,YAO jianquan.Numerical Simulation on the 2DEG in the AlGaN/InGaN/GaN Double Heterostructures[J].Science Technology and Engineering,2006,6(23):4682-46844694. |
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| Authors: | LIU Fang WANG Tao YAO jianquan |
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| Abstract: | Due to the physical property, the concentration of 2DEG which is in inserting InGaN in AlGaN/GaN SH-heterojunction is nearly twice then AIGaN/GaN. The reason from the offset of conduction band and polarization are nalysed, and the chart of the energy level was drawing by self-consistent solving Poisson equation and Schrodinger equation, the phenomenon is explained by The chart. |
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| Keywords: | 2DEG the offset of conduction bandpolarization self-consistent solving process |
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