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| 硅PNP型晶体管的沟道漏电 | |
| 引用本文： | 季秉厚,张存生.硅PNP型晶体管的沟道漏电[J].内蒙古大学学报(自然科学版),1981(2). |
| 作者姓名： | 季秉厚 张存生 |
| 作者单位： | 内蒙古大学物理系，内蒙古大学物理系 |
| 摘 要： | 近几年来,硅PNP型晶体管获得越来越广泛的用途,但与NPN型晶体管相比制造工艺比较困难,主要是表面沟道漏电,造成成品率低,可靠性差。本文通过对沟道漏电的理论分析,采取相应措施,基本上消除了沟道漏电,在大批量生产中,中测管芯成品率达80%以上。 |
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