在硅表面上的单原子操纵 |
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引用本文: | 侯建国,黄文浩,等.在硅表面上的单原子操纵[J].世界科技研究与发展,1997,19(3):71-78. |
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作者姓名: | 侯建国 黄文浩 |
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摘 要: | 室温条件下Si表面的单原子操纵在基础研究和微电子应用两方面都具有十分重要的意义。本文详细介绍了利用STM在Si(111)×7、Si(100)-2×1:H表面进行单原子操纵和加工原子级人工微结构的基本原理和技术方法。综述了近年来这一领域研究工作的最新进展,并探讨单原子操纵技术和激光选健技术相结合从而实现选键化学反应或“分子手术”的可能性和前景。
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关 键 词: | 硅 单原子操纵 微电子技术 扫描隧道显微镜 表面原子结构 激光选键技术 |
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