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| 用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷 | |
| 引用本文： | 王绍渤,吴瑞娣,薛忠发.用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷[J].应用科学学报,1984,2(3):267-273. |
| 作者姓名： | 王绍渤 吴瑞娣 薛忠发 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 我们对N-GaAs和N-InP单晶及外延层在4.2K和77K下测定了光致发光谱,并用C-V法测定了电学参数,确定了未掺GaAs中的受主杂质主要是C和Si.通过室温离子注入Si和退火处理,证明了GaAs中1.403eV光谱峰与Si及砷空位VAs有关,结合化学及离子微探针分析结果,对未掺InP晶体光谱曲线研究指出,~1.38eV光谱峰是C受主引起的,而1.08和~1.2eV峰分别与磷空位Vp及铟空位VIn有关. |
| 收稿时间： | 1982-04-21 |
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