| 氨水在HF/HNO3/H2O系统中对硅片刻蚀的影响 |
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| 引用本文： | 汪建强,刘志刚,安静,孙铁囤.氨水在HF/HNO3/H2O系统中对硅片刻蚀的影响[J].上海交通大学学报,2008,42(3):467-470. |
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| 作者姓名： | 汪建强 刘志刚 安静 孙铁囤 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,物理系,上海,200240 |
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| 基金项目： | 上海市科委"高效多晶硅太阳电池关键技术及中试研究"项目(03DZ12028) |
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| 摘 要： | 研究了晶体硅太阳电池酸绒面制备中,NH3·H2O在HF/HNO3/H2O体系中对硅片刻蚀速度的影响.实验结果表明,当NH3·H2O加入量较少时,硅片刻蚀速度随NH3·H2O含量增加而变大;NH3·H2O含量大于某值时,硅片刻蚀速度随NH3·H2O含量增加而减小.最后,用气泡搅拌理论以及扩散层理论对实验中的现象进行了理论分析,其结果对多晶硅太阳能电池酸绒面制备有一定指导意义.
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| 关 键 词： | 硅片刻蚀 氨水 硝酸氨分解 搅拌 氨水 系统 硅片 刻蚀速度 影响 Silicon Etching Ammonia Influence 意义 指导 太阳能 多晶硅 分析 现象 搅拌理论 扩散层 气泡 含量增加 加入量 结果 |
| 文章编号： | 1006-2467(2008)03-0467-04 |
| 修稿时间： | 2007年1月28日 |
The Influence of Ammonia on Silicon Etching in HF/HNO3/H2O System |
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| WANG Jian-qiang,LIU Zhi-gang,AN Jing,SUN Tie-tun.The Influence of Ammonia on Silicon Etching in HF/HNO3/H2O System[J].Journal of Shanghai Jiaotong University,2008,42(3):467-470. |
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| Authors: | WANG Jian-qiang LIU Zhi-gang AN Jing SUN Tie-tun |
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