| 掺杂对涂层超导体CeO2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算 |
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| 引用本文： | 潘敏,黄整,麻焕锋,强伟荣,韦联福,王龙,赵勇.掺杂对涂层超导体CeO2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算[J].中国科学(G辑),2009,39(5):688-692. |
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| 作者姓名： | 潘敏 黄整 麻焕锋 强伟荣 韦联福 王龙 赵勇 |
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| 作者单位： | 西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室;超导研究开发中心;西南交通大学物理科学与技术学院;新南威尔士大学材料科学与工程学院超导研究所; |
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| 基金项目： | 西南交通大学青年教师科研起步项目(编号:2007Q017);;国家自然科学基金(批准号:50588201,10874142);;国家重点基础研究计划(编号:2007CB616906)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E^＊的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E^＊和系统电子数增量Δne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.
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| 关 键 词： | CeO2 第一性原理 薄膜临界厚度 弹性常数 |
| 收稿时间： | 2008-04-15 |
| 修稿时间： | 2009-01-01 |
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