| 具有挠曲电效应的纳米电介质变分原理及控制方程 |
| |
| 引用本文： | 胡淑玲,申胜平.具有挠曲电效应的纳米电介质变分原理及控制方程[J].中国科学(G辑),2009,39(12):1762-1769. |
| |
| 作者姓名： | 胡淑玲 申胜平 |
| |
| 作者单位： | 西安交通大学航天航空学院强度与振动教育部重点实验室, 西安 710049 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(编号: 2007CB707702)和国家自然科学基金(批准号: 10672130, 10972173)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 纳米电介质具有较强的挠曲电效应，并且该效应与大的应变梯度相耦合．在纳米尺度，静电力不能被忽略．我们基于电学焓，建立了可考虑应变及极化梯度效应以及静电力影响的纳米电介质变分原理．由此变分原理，导出了其控制方程，给出了广义静电应力的表达式．广义静电应力由两部分组成，一部分为与极化及应变有关的Maxwell应力，另一部分为与极化梯度及应变梯度有关的应力．我们的工作为研究纳米电介质中的力电耦合问题提供了基础．
|
| 关 键 词： | 挠曲电效应 变分原理 控制方程 电介质 静电应力 纳米尺度 |
| 收稿时间： | 2009-06-08 |
| 修稿时间： | 2009-10-12 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》下载免费的PDF全文 |
