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| N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进 | |
| 作者单位： | 徐静平（华中科技大学电子科学与技术系）;钟德刚（华中科技大学电子科学与技术系）;于军（华中科技大学电子科学与技术系） |
| 摘 要： | 通过与热生长氧化物进行比较,对LPCVD氧化物及N |
| 关 键 词： | MOS电容 低压化学汽相淀积 氧化物 N |
| 文章编号： | 1000-8616(2001)1-0022-03 |
| 修稿时间： | 1999年8月3日 |
Improvement of Reliability for N2O-Nitrided LPCVD Oxide |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |