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杂志ISSN号
HCMOS器件的γ辐射效应
作者姓名:
楼滨乔 薛志华
作者单位:
北京大学技术物理学系(楼滨乔,薛志华),北京大学技术物理学系(刘美丽)
摘 要:
本文介绍HCMOS器件的γ辐射损伤和退火效应的结果。HCMOS器件的静态功耗电流和动态特性对剂量十分灵敏,它们的退火效应也很明显。
关 键 词:
HCMOS器件 γ辐射效应 退火效应
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