| 轴向场宽束离子源研究 |
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| 引用本文： | 饶雨生,唐敦乙.轴向场宽束离子源研究[J].西安交通大学学报,1990,24(1):53-60. |
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| 作者姓名： | 饶雨生 唐敦乙 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系，西安交通大学电子工程系，西安交通大学电子工程系，西安交通大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 我们研制了用于薄膜工艺的宽束离子源.该源能提供20～3000cV,束流强度最大达100mA 的宽离子束,可根据不同工艺要求,产生均匀束、会聚束及球状发散束等不同束形,并按不同的引出束能量,采用三栅、双栅或单栅引出系统.其最大气耗量为1.2Pa·m~3/s,放电室工作气压1.33×10~(-2)Pa(10~(-4)Torr 量级),可用 N_2、O_2、Ar 及 CH_4等工质工作.它已在离子束溅射镀膜、离子束直接淀积成膜及离子束辅助镀膜工艺得到了应用.证明其性能良好,稳定可靠.本文论述源的工作原理、结构、工作特性及多功能引出系统,并讨论了放电稳定性及薄膜工艺对离子源的要求.
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| 关 键 词： | 薄膜 离子源 离子束 |
STUDY ON A AXIAL-FIELD BROAD-BEAM ION SOURCE |
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| Rao Yusheng Tang Dunyi Liu Xiaozeng Shen Boli.STUDY ON A AXIAL-FIELD BROAD-BEAM ION SOURCE[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1990,24(1):53-60. |
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| Authors: | Rao Yusheng Tang Dunyi Liu Xiaozeng Shen Boli |
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| Institution: | Department of Electronic Engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin films ion sources ion beams |
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