| 基于硅隔离衬底的高深宽比微型杠杆机构研究 |
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| 引用本文： | 高建忠,赵玉龙,蒋庄德,杨静,张奇功.基于硅隔离衬底的高深宽比微型杠杆机构研究[J].西安交通大学学报,2005,39(9):1007-1010,1020. |
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| 作者姓名： | 高建忠 赵玉龙 蒋庄德 杨静 张奇功 |
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| 作者单位： | 西安交通大学机械系统工程国家重点实验室,710049,西安 |
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| 摘 要： | 针对微机电系统微执行器输出位移小,不能满足实际工作需要的问题,设计了一种微型柔性杠杆位移放大机构,并用有限元方法对放大倍数及影响因素进行了分析.该机构不含任何旋转部件,利用单晶硅微梁的弹性变形来实现微位移的放大,采用深层反应离子刻蚀技术将整个机构制作在硅隔离衬底上,并把它置于40%的HF溶液中使其成功释放.对集成加工在同一衬底上的电热微执行器进行了性能测试,测试结果表明,在没有优化的条件下,加工的两级微型杠杆机构在14 V工作电压下的放大倍数为18.9倍,输出位移达到36μm,测试结果与仿真结果相吻合.
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| 关 键 词： | 微机电系统 微型杠杆机构 高深宽比 硅隔离衬底 |
| 文章编号： | 0253-987X（2005）09-1007-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-23 |
| 修稿时间： | 2004-12-23 |
High Aspect Ratio Microleverages Based on Silicon-on-Insulator Wafer |
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| Gao Jianzhong,Zhao Yulong,Jiang Zhuangde,Yang Jing,Zhang Qigong.High Aspect Ratio Microleverages Based on Silicon-on-Insulator Wafer[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2005,39(9):1007-1010,1020. |
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| Authors: | Gao Jianzhong Zhao Yulong Jiang Zhuangde Yang Jing Zhang Qigong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microelectromechanical device microleverage high aspect ratio silicon on insulator |
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