| 激光作用于单晶硅样品后的强荧光效应 |
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| 引用本文： | 许丽,黄伟其,刘世荣,秦朝建,吴克跃,胡林. 激光作用于单晶硅样品后的强荧光效应[J]. 贵州科学, 2006, 24(4): 64-67 |
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| 作者姓名： | 许丽 黄伟其 刘世荣 秦朝建 吴克跃 胡林 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院,光电子技术与应用实验室,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院,光电子技术与应用实验室,贵州,贵阳,550025;贵州教育学院物理系,贵州,贵阳,550003;中国科学院地球化学研究所,贵州,贵阳,550003 |
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| 摘 要： | 将功率为75W、波长为1064nm的YAG激光束照射在单晶硅样品上,形成的孔状结构有很特殊的表面形貌.特别是在孔内的侧壁上,有很特殊的网孔形结构,这里有很强的受激荧光发光效应,光致荧光谱峰在710nm处.本文中介绍了单纯激光加工生成多孔硅和纳晶硅样品的方法,观察和分析了样品中的低维纳米结构、氧化分布及其发光特性,特别注意到样品孔洞中的侧壁上的网孔形结构的强荧光效应.我们用量子受限效应结合硅晶与氧化硅界面态复合的综合模型来解释其光致发光的增强机理.
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| 关 键 词： | 激光辐照 孔形网结构 光致荧光 |
| 文章编号： | 1003-6563（2006）04-0064-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-23 |
| 修稿时间： | 2005-10-23 |
EMISSION PROPERTIES OF POROUS STRUCTURE ON SEMICONDUCTOR FILM BY IRRADIATION OF LASER |
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| XU Li,HUANG Wei-qi,LIU Shi-rong,QIN Chao-jian,WU Ke-yue,HU Lin. EMISSION PROPERTIES OF POROUS STRUCTURE ON SEMICONDUCTOR FILM BY IRRADIATION OF LASER[J]. Guizhou Science, 2006, 24(4): 64-67 |
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| Authors: | XU Li HUANG Wei-qi LIU Shi-rong QIN Chao-jian WU Ke-yue HU Lin |
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| Affiliation: | 1. Department of Physics, Optoelectronics Physics Lab, Guizhou University, Guiyang 550026 ;2. Institute of Geochemistry, Chinese Academy of Sciences, Guiyang 550003 ;3. Department of Physics, Guizhou Educational College, Guiyang 550003 |
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| Abstract: | We produced a kind of porous structure on semiconductor film using laser with 75W power and 1064nm wavelength,and the porous structure can emit intense photoluminescence(PL).Under excitation of laser with 514nm wavelength,the range of the PL spectra is from 600nm to 900nm wavelength.Some new models are found to explain the above phenomenon. |
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| Keywords: | laser irradiation porous structure photoluminescence |
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