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氧化过程中杂质分凝行为的模拟
引用本文:李惠军.氧化过程中杂质分凝行为的模拟[J].山东科学,1999,12(1):48-50.
作者姓名:李惠军
摘    要:本文以PMOS结构为研究对象,对其绝缘栅栅氧化过程进行了计算机动态模拟。提出了抑制杂质分凝的栅氧化新模式。

关 键 词:微电子技术  MOS结构  绝缘栅  栅氧化  杂质分凝
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