高质量二维WTe2薄膜的可控制备及电输运性能研究

以WCl₆为前驱体，采用化学气相沉积法制备二维WTe₂薄膜材料。借助X射线衍射仪、拉曼光谱、原子力显微镜、综合物性测量系统等探究了前驱体用量对二维WTe₂薄膜质量的影响并对薄膜的电输运性能进行表征。结果表明，在500℃下，仅需10 min的生长时间就可以获得大面积的WTe₂薄膜，且薄膜厚度随前驱体用量的减少而减薄。WCl₆前驱体为0.6 g时所制多层二维WTe₂薄膜在温度为10 K、磁场强度为50 000 Oe下的磁电阻率为1.54%,该磁电阻率仍未达到饱和。样品平面霍尔电阻随电场和磁场夹角变化而周期性变化，表明所制WTe₂薄膜具有和块体WTe₂相似的电输运特性。