| H型栅/源漏非对称结构CMOS在 PDSOI标准单元建库中的应用 |
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| 引用本文： | 赵德益,吴龙胜. H型栅/源漏非对称结构CMOS在 PDSOI标准单元建库中的应用[J]. 科学技术与工程, 2009, 9(10) |
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| 作者姓名： | 赵德益 吴龙胜 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,西安,710075;西安微电子技术研究所,西安,710075;西安微电子技术研究所,西安,710075;西安微电子技术研究所,西安,710075 |
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| 基金项目： | 西安应用材料创新基金 |
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| 摘 要： | 基于0.35 μm SOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究.讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35 μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元库设计,并设计了标准单元测试芯片.
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| 关 键 词： | SOI CMOS 源漏非对称注入 H型栅 标准单元 |
Application of H-Gate/Asymmetric Source & Drain Structure CMOS in PDSOI Standard Cell Library |
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| ZHAO De-yi,WU Long-sheng,YU Hong-bo,LIU You-bao. Application of H-Gate/Asymmetric Source & Drain Structure CMOS in PDSOI Standard Cell Library[J]. Science Technology and Engineering, 2009, 9(10) |
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| Authors: | ZHAO De-yi WU Long-sheng YU Hong-bo LIU You-bao |
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| Affiliation: | Micro-electronics Technology Institute;Xi'an 710075;P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI CMOS |
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