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硅衬底CMOS射频集成电路中金属厚度对平面螺旋电感Q值的影响
引用本文:陈雪芳,程东方,杨文荣.硅衬底CMOS射频集成电路中金属厚度对平面螺旋电感Q值的影响[J].上海大学学报(自然科学版),2005,11(5):455-459.
作者姓名:陈雪芳  程东方  杨文荣
作者单位:[1]上海大学理学院,上海200444 [2]上海大学微电子研究与开发中心,上海200072
摘    要:该文着重分析金属线厚度对Q值的影响.为此设计了三组电感,它们的金属线厚度分别为5、10和20μm,并用Ansoft HFSS软件进行FEM(finite element method)的仿真.仿真的结果表明,金属线厚度对电感Q值的影响在很大程度上取决于电感内径的大小.因此当金属线厚度超过10μm时,通过进一步增加金属线厚度来改善Q值仍是可能的.

关 键 词:平面螺旋电感  金属线厚度  串联电阻  Q值  RF集成电路
文章编号:1007-2861(2005)05-0455-05
收稿时间:2004-08-30
修稿时间:2004年8月30日

Effect of Metal Thickness on Quality Factor of Planar Spiral Inductors in Si-based CMOS RF ICs
CHEN Xue-fang, CHENG Dong-fang , YANG Wen-rong.Effect of Metal Thickness on Quality Factor of Planar Spiral Inductors in Si-based CMOS RF ICs[J].Journal of Shanghai University(Natural Science),2005,11(5):455-459.
Authors:CHEN Xue-fang  CHENG Dong-fang  YANG Wen-rong
Institution:CHEN Xue-fang, CHENG Dong-fang , YANG Wen-rong (1. School of Sciences, Shanghai University, Shanghai 200444, China; 2. Microelectronic R
Abstract:
Keywords:planar spiral inductor  metal thickness  series resistance  Q value  RF IC
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