n—p—n型硅器件中缺陷中心对载流子的影响

研究了两种不同掺杂工艺的n-p-n型硅器件在^60Co的γ射线辐射前后产生的缺陷中心，讨论了它们在330～530K温度范围漂白对载流子相对浓度的影响。