电反射谱法研究N~+-p硅光电池第一及第二间接带隙 |
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作者姓名: | 洪秀霞 陈坚令 吴伯僖 |
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作者单位: | 厦门大学物理学系(洪秀霞,陈坚令),厦门大学物理学系(吴伯僖) |
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摘 要: | 采用偏光电反射(ER)谱法测定室温下N~+P结Si间接光学带隙。实验数据表明,在1.05—1.90eV入射光能量之间存在两组ER结构。采用Aspnes等三点调整法计算带间能量,可初步断定:Si的第一间接跃迁(Γ25′—Δ_1)光学能隙为1.16eV;第二间接跃迁(Γ25′—L_1)光学能隙为1.61eV。
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