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100A/1200V静电感应晶闸管的设计
引用本文:李思渊,黄仕琴.100A/1200V静电感应晶闸管的设计[J].兰州大学学报(自然科学版),1999,35(4):44-47.
作者姓名:李思渊  黄仕琴
作者单位:兰州大学物理科学与技术学院!甘肃兰州730000
摘    要:分析了电力静电感应晶闸管的主要参数与器件结构的关系。结合制管经验进行了100A/1200V器件的结构设计、工艺设计,给出有关结果。

关 键 词:静电感应晶闸管  电参数  结构参数  设计  SITH

The Design of 100 A/1 200 V Static Induction Thyristor
Li Siyuan,Huang Shiqin,Xue Chuanming,Liu Ruixi,Zhang Minglan,Liang Yuantao.The Design of 100 A/1 200 V Static Induction Thyristor[J].Journal of Lanzhou University(Natural Science),1999,35(4):44-47.
Authors:Li Siyuan  Huang Shiqin  Xue Chuanming  Liu Ruixi  Zhang Minglan  Liang Yuantao
Abstract:The relationship between the main electric parameters and the structure of the static induction thyristor devices has been discussed. Moreover, 100 A/1 200 V device has been designed and the results are reported here.
Keywords:static induction thyristor  electric parameter  the parameter of structure  design
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