| 超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响 |
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| 引用本文： | 牛智红 任正伟 贺振宏. 超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响[J]. 山西大学学报(自然科学版), 2005, 28(4): 380-382 |
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| 作者姓名： | 牛智红 任正伟 贺振宏 |
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| 作者单位： | [1]山西省综合职业技术学院轻工分院,山西太原030013 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 |
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| 摘 要： | 提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响：发现随测试温度的升高，量子点的PL发光强度增强的一种反常现象．认为这是不同量子间载流子输运的结果．
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| 关 键 词： | 量子点 超晶格 光荧光 覆盖层 |
| 文章编号： | 0253-2395(2005)04-0380-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-10 |
| 修稿时间： | 2005-06-21 |
Effects of Covering Layer on Extending the Emission Wavelenghs of InAs Quantum Dots |
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| NIU Zhihong,REN Zhenwei,HE Zhenhong. Effects of Covering Layer on Extending the Emission Wavelenghs of InAs Quantum Dots[J]. Journal of Shanxi University (Natural Science Edit, 2005, 28(4): 380-382 |
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| Authors: | NIU Zhihong REN Zhenwei HE Zhenhong |
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| Affiliation: | 1. Light lndustry Branch ,Shanzi General Vocational Techical College , Taiyuan 030013 ,China ; 2. Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum dot superlattice photoluminescence covering layer |
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