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| 用冠醚除杂减小PN结的反向漏电流 | |
| 作者姓名： | 王林 |
| 摘 要： | 在半导体硅器件的硅自由表面上,总有或薄或厚的Sio_2层,它可以是自然形成的,也可以是人工生长的.若在Sio_2层中存在着可动的碱金属杂质离子,则这些离子在温度场或者电场的作用下,可以在Sio_2层中移动,从而引起硅器件性能的不稳定或劣化.Na~ 、K~ 、Li~ 、H~ 等虽皆为Sio_2中能迁移的正离子,但K~ 的迁移率比Na~ 低两个数量级,Na~ 的来源比较广泛,而Li~ 在半导体制造工艺过程中遇到不多,故可动离子主要是Na~ 和K~ 的影响最大.Sio_2对它们几乎没有阻挡能力,温度越高,穿透能力越强,这样漏电 |
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