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单晶铜表面划擦过程模拟
引用本文:程东,胡理琳,严志军,严立. 单晶铜表面划擦过程模拟[J]. 应用科技, 2003, 30(10): 49-51
作者姓名:程东  胡理琳  严志军  严立
作者单位:1. 大连海事大学,轮机工程学院,辽宁,大连,116026
2. 青岛远洋船员学院,机电系,山东,青岛,266071
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50071014)
摘    要:应用分子动力学模拟技术模拟刚性针尖在单晶铜表面的划擦过程,探讨在微观领域材料的摩擦磨损特性,为进一步探讨纳米摩擦模拟技术及微观领域材料特性奠定基础.模拟结果表明,在材料微观划擦机理中,针尖的摩擦阻力来自于基体表面位错的堆积,同时,位错在基体中的传播速度对摩擦阻力也有影响.

关 键 词:分子动力学模拟技术 单晶铜 摩擦阻力 磨损特性 划擦过程 位错 计算机模拟
文章编号:1009-671X(2003)10-0049-03
修稿时间:2002-11-25

Molecular dynamics simulations of nano-scale scratch
Abstract:
Keywords:molecular dynamic simulation  nano-scale sliding friction  many-body potential
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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