|
|||||
|
|
| Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响 | |
| 作者姓名： | 刘俊 郑瑞伦 陈希明 董会宁 |
| 作者单位： | 重庆邮电学院,信息电子学研究所,重庆,400065;重庆大学,数理学院,重庆,400030;西南师范大学,物理学院,重庆,400715;重庆邮电学院,信息电子学研究所,重庆,400065 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 重庆市科委科研项目 , 重庆邮电学院校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制. |
| 关 键 词： | 新种子层 Nb含量 零场电阻率 磁电阻 |
| 文章编号： | 1000-582X(2004)12-0098-04 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《重庆大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《重庆大学学报(自然科学版)》下载全文 | |